ESMT (Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
- Wstęp
- Najnowsze produkty
Wstęp
ESMT (Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) to profesjonalna firma zajmująca się projektowaniem układów scalonych, założona w czerwcu 1998 roku w Tajwańskim Parku Naukowo-Przemysłowym Hsinchu. Główna działalność firmy obejmuje projektowanie, produkcję, sprzedaż i usługi techniczne własnych produktów IC. ESMT z powodzeniem weszła na giełdę na Tajwańskiej Giełdzie Papierów Wartościowych, kod 3006, w marcu 2002 roku.
Najnowsze produkty
| Obraz | część # | Opis | producent | Magazyn | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63 |
ESMT DRAM DDR SDRAM Pamięć IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2,5V 4K 166/200/250MHz
|
|
w magazynie
|
|
|
|
|
FC51L04SMSA FC51L04SFSA(2A) FC51L04SFSSA (2AF) FC51L08SFY3A FC51L08SFSA (2A) FC51J32SJTS2A (2D) FC51E64SBTS2A (2A) |
FC51L04SFSA 2D MLC eMMC5.1 200 MHz 153BGA eMCC Układy scalone pamięci FC51L04SFSAXSA1-2.58WE
|
|
w magazynie
|
|
|
|
|
FM73E885CQPB(2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B(2R EPOP |
FM73E885CQP1B HS400 800/933 MHz 136BGA 8 GB eMMC+8 Gb LPDDR3 lub 32 GB eMMC+8 Gb LPDDR3 EPOP FM73E32
|
|
w magazynie
|
|
|
|
|
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G) |
FM6BD1G1GMB 1,8 V 1 Gb NAND Flash (128 Mb x 8) 1,8 V 1 Gb LPDDR2 SDRAM (32 Mb x 32) 45 ns 400/533 MH
|
|
w magazynie
|
|
|
|
|
F59L1G81LB SLC NAND lub SLC NAND pamięć flash IC F59L1G81LB-25TG2M |
F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8 3,3 V ECC: 1 bit/528 bajtów 25 ns 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
|
|
w magazynie
|
|
|
|
|
EN25QX256A SPI NOR Flash IC EN25QX256A-104HIP2S |
Układ scalony pamięci Flash NOR 256 Mb 2,7 V–3,6 V 104 MHz/133 MHz
|
|
w magazynie
|
|
|
|
|
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP |
Równoległy układ rozruchowy pamięci Flash NOR 32 Mb IC EN29LV320CB-70BIP
|
|
w magazynie
|
|
|
|
|
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4Gb M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2Gb M56Z2G16128A (2R) 4Gb M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8Gb M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H) |
LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
|
|
In Stock
|
|
|
|
|
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) Układ scalony LPSDR SDRAM |
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
|
|
In Stock
|
|
|
|
|
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A |
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
|
|
In Stock
|
|
|
|
|
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z |
4Gb 256Mbx16 1,2V 1333/1600MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA układ scalony
|
|
w magazynie
|
|
|
|
|
128 MB pamięci DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T |
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2,5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
|
|
w magazynie
|
|
|
|
|
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64MB DRAM DDR SDRAM IC |
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
|
|
w magazynie
|
|
|
|
|
M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T BGA 143 MHz |
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3,3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
|
|
w magazynie
|
|
|
|
|
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) ESMT DRAM DDR SDRAM Pamięć IC |
ESMT DRAM DDR SDRAM Pamięć IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2,5V 4K 166/200/250MHz
|
|
w magazynie
|
|
|
|
|
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S Układ pamięci ESMT SDRAM 3,3 V |
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
|
|
w magazynie
|
|