FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
producent:
ESMT (Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Opis:
FM6BD1G1GMB 1,8 V 1 Gb NAND Flash (128 Mb x 8) 1,8 V 1 Gb LPDDR2 SDRAM (32 Mb x 32) 45 ns 400/533 MH
Kategoria:
Układ scalony mikrokontrolera
Na stanie:
w magazynie
Cena £:
Contact us
Metoda płatności:
T/T
Sposób wysyłki:
Wyrazić
Specyfikacje
Nazwa produktu:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Opis:
FM6BD1G1GMB 1,8 V 1 Gb NAND Flash (128 Mb x 8) 1,8 V 1 Gb LPDDR2 SDRAM (32 Mb x 32) 45 ns 400/533 MH
kategoria:
Układy scalone (IC) -FM6BD1G1GMB
Opakowanie/etui:
10,5x8 (mm) 162BGA
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
Typ mocowania:
Montaż powierzchniowy
Mfr:
ESMT
Podstawowy numer produktu:
FM6BD1G1GMB
Numery części:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCEFM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Wstęp
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Pamięć NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Opis:FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb Pamięć NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (mm) 162BGA
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE
Więcej układów scalonych MCP Pamięci Flash Numer części:
| 1G+1G (Pamięć NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Numer_części | Opis | Prędkość(MHZ) | Obudowa |
| FM6BD1G1GMB(2M) | 1.8V 1Gb Pamięć NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 kulki |
| FM62D1G1GMB (2G) | 1.8V 1Gb Pamięć NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 kulki |
| FM6BD1G1GMB (2G) | 1.8V 1Gb Pamięć NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 kulki |
| 2G+1G (Pamięć NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Numer_części | Opis | Prędkość(MHZ) | Obudowa |
| FM62D2G1GXA (2U) | 1.8V 2Gb Pamięć NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) | 30ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 kulki |
| 2G+2G (Pamięć NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Numer_części | Opis | Prędkość(MHZ) | Obudowa |
| FM6BD2G2GXA(2M) | 1.8V 2Gb Pamięć NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 kulki |
| FM6BD2G2GXA(2L) | 1.8V 2Gb Pamięć NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 kulki |
| FM62D2G2GXA (2L) | 1.8V 2Gb Pamięć NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 kulki |
| FM62D2G2GKA (2Q) | 1.8V 2Gb Pamięć NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 kulki |
| FM6BD2G2GKA (2Q) | 1.8V 2Gb Pamięć NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 kulki |
| 2G+2G (Pamięć NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Numer_części | Opis | Prędkość(MHZ) | Obudowa |
| FM6HZ2G2GXA (2A) | 1.8V 2Gb Pamięć NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 1866MHz | 9.5x8 (mm), 149 kulek |
| 4G+2G (Pamięć NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Numer_części | Opis | Prędkość(MHZ) | Obudowa |
| FM6BD4G2GXB(2V) | 1.8V 4Gb Pamięć NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 kulki |
| FM6BD4G2GXB(2X) | 1.8V 4Gb Pamięć NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533/400MHz | 10.5x8 (mm), 162 kulki |
| FM62D4G2GXB (2V) | 1.8V 4Gb Pamięć NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 kulki |
| FM6BD4G2GKA (2J) | 1.8V 4Gb Pamięć NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 kulki |
| 4G+2G (Pamięć NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Numer_części | Opis | Prędkość(MHZ) | Obudowa |
| FM6HZ4G2GXB | 1.8V 4Gb Pamięć NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 1866MHz | 9.5x8 (mm), 149 kulek |
| 4G+4G (Pamięć NAND Flash +LPDDR2) | |||
| Numer_części | Opis | Prędkość(MHZ) | Obudowa |
| FM6BD4G4GXB(2X) | 1.8V 4Gb Pamięć NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 30ns; 400/ 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 kulki |
| FM6BD4G4GXMB (2V) | 1.8V 4Gb Pamięć NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 kulki |
| FM6BD4G4GKMA (2J) | 1.8V 4Gb Pamięć NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 kulki |
| 4G+4G (Pamięć NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Numer_części | Opis | Prędkość(MHZ) | Obudowa |
| FM6HZ4G4GXB | 1.8V 4Gb Pamięć NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) | 30ns; 1866/2133MHz | 9.5x8 (mm), 149 kulek |
| 8G+8G (Pamięć NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Numer_części | Opis | Prędkość(MHZ) | Obudowa |
| FM6HZ8G8GXDZB(2H) | 1.8V 4Gb x2die Pamięć NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb x2die LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) | 30ns; 1866/ 2133MHz | 9.5x8 (mm), 149 kulek |
| 16G+16G (Pamięć NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Numer_części | Opis | Prędkość(MHZ) | Obudowa |
| FM6HZ16G16GXA (2D) | 1.8V 8Gb x2die Pamięć NAND Flash (1024Mbx8) + 1.8V 16Gb x1die LPDDR4x SDRAM (1Gbx16) | 30ns; 2133MHz | |
Zastosowanie:
Motoryzacja
Sieci
Konsumenckie
Dekodery
Przemysłowe
Wyświetlacze
IOT
Nadzór bezpieczeństwa
Urządzenia do noszenia
Urządzenia peryferyjne do komputerów
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) to profesjonalna firma zajmująca się projektowaniem układów scalonych, założona w czerwcu 1998 roku w Parku Przemysłowym Hsinchu Science na Tajwanie. Główna działalność firmy obejmuje projektowanie, produkcję, sprzedaż i usługi techniczne produktów IC własnej marki. ESMT z powodzeniem weszła na giełdę na Tajwanie, kod 3006, w marcu 2002 roku.
Produkty ESMT SPI NAND Flash w magazynie:
| SPI NAND | |||
| 1Gb | |||
| Numer części | Opis | Prędkość(mhz) | Obudowa |
| F50L1G41LB(2M) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | 8-stykowy WSON |
| F50D1G41LB(2M) | SPI NAND Flash, 1.8V | 50MHz | 8-stykowy WSON |
| F50L1G41XA(2B) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | 8-stykowy WSON/ 24-kulkowy BGA |
| 2Gb | |||
| Numer części | Opis | Prędkość(mhz) | Obudowa |
| F50L2G41XA(2B) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | 8-stykowy WSON |
| F50L2G41XA (2BE) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | 8-stykowy LGA |
| F50D2G41XA(2BE) | SPI NAND Flash, 1.8V | 83MHz | 8-stykowy LGA |
| F50D2G41XA(2B) | SPI NAND Flash, 1.8V | 83/ 104 MHz | 8-stykowy WSON |
| 4Gb | |||
| Numer części | Opis | Prędkość(mhz) | Obudowa |
| F50D4G41XB(2X) | SPI NAND Flash 1.8V | 83MHz | 8-stykowy LGA |
| F50L4G41XB(2X) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | 8-stykowy WSON |
| F50D4G41XB(2XE) | SPI NAND Flash 1.8V | 83MHz | 8-stykowy LGA |
PRODUKTY POWIĄZANE
F59L1G81LB SLC NAND lub SLC NAND pamięć flash IC F59L1G81LB-25TG2M
F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8 3.3V ECC:1bit/528Byte 25ns 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
EN25QX256A SPI NOR Flash IC EN25QX256A-104HIP2S
256Mb 2.7V - 3.6V 104MHz/133MHz SPI NOR Flash Memory IC
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP
Parallel NOR 32Mb Flash Memory Boot Sector IC EN29LV320CB-70BIP
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4Gb M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2Gb M56Z2G16128A (2R) 4Gb M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8Gb M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)
LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) Układ scalony LPSDR SDRAM
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
4Gb 256Mbx16 1.2V 1333/1600MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
128 MB pamięci DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64MB DRAM DDR SDRAM IC
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T BGA 143 MHz
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) ESMT DRAM DDR SDRAM Pamięć IC
ESMT DRAM DDR SDRAM Memory IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S Układ pamięci ESMT SDRAM 3,3 V
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ:
10pieces