M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A
producent:
ESMT (Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Opis:
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
Kategoria:
Układ scalony mikrokontrolera
Na stanie:
In Stock
Cena £:
US$5.80
Metoda płatności:
T/T
Sposób wysyłki:
Express
Specyfikacje
Product Name:
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
Category:
Integrated Circuits (ICs)-M15T1G1664A
Package / Case:
BGA
Operating Temperature:
-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type:
Surface Mount
Mfr:
ESMT
Base Product Number:
M53D5123216A
Part numbers:
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A
Wstęp
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A
Zastosowanie:
Motoryzacja
Sieci
Urządzenia konsumenckie
Dekodery
Przemysł
Wyświetlacze
IOT
Nadzór bezpieczeństwa
Urządzenia do noszenia
Periferyjne urządzenia PC
| LPDDR SDRAM | |||||
| 64Mb | |||||
| Numer części | Organizacja | Opis | Odświeżanie | Prędkość (MHz) | Obudowa |
| M53D64164A (2C) | 4Mbx16 | LPDDR SDRAM 1.8V | 4K | 200/220MHz | 60 Ball BGA |
| M13D64322A (2S) | 2Mbx32 | LPDDR SDRAM 1.8V | 4K | 200/222/250MHz | 144 Ball FBGA |
| 256Mb | |||||
| Numer części | Organizacja | Opis | Odświeżanie | Prędkość (MHz) | Obudowa |
| M53D2561616A (2F) | 16Mbx16 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 133/166/200MHz | 60 Ball BGA |
| M53D256328A (2F) | 8Mbx32 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 133/166/200MHz | 144 Ball FBGA |
| 512Mb | |||||
| Numer części | Organizacja | Opis | Odświeżanie | Prędkość (MHz) | Obudowa |
| M53D5121632A | 32Mbx16 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 200MHz | 60 Ball BGA |
| M53D5123216A | 16Mbx32 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 200MHz | 144 Ball FBGA |
| 1Gb | |||||
| Numer części | Organizacja | Opis | Odświeżanie | Prędkość (MHz) | Obudowa |
| M53D1G1664A | 64Mbx16 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 133/166/200MHz | 60 Ball BGA |
| M53D1G3232A | 32Mbx32 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 133/166/200MHz | 144 Ball FBGA |
Numery części DDR3 SDRAM:
| 512Mb | |||||
| Numer części | Organizacja | Opis | Odświeżanie | Prędkość (MHz) | Obudowa |
| M15T5121632A | 32Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933MHz | 96 Ball BGA |
| 1Gb | |||||
| Numer części | Organizacja | Opis | Odświeżanie | Prędkość (MHz) | Obudowa |
| M15T1G1664A (2S) | 64Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15T1G8128A(2S) | 128Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 78 Ball BGA |
| M15T1G1664A (2T) | 64Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15T1G1664A (2Z) | 64Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15F1G1664A (2S) | 64Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.5V | - | 933/1066/1200MHz | 96 BAll BGA |
| 2Gb | |||||
| Numer części | Organizacja | Opis | Odświeżanie | Prędkość (MHz) | Obudowa |
| M15T2G8256A(2R) | 256Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 78 Ball BGA |
| M15T2G16128A(2R) | 128Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933MHz | 96 Ball BGA |
| M15T2G16128A(2P) | 128Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 96 Ball BGA |
| M15T2G16128A (2D) | 128Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 Ball BGA |
| M15T2G8256A (2D) | 256Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 78 Ball BGA |
| 4Gb | |||||
| Numer części | Organizacja | Opis | Odświeżanie | Prędkość (MHz) | Obudowa |
| M15T4G16256A (2S) | 256Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 96 Ball BGA |
| M15T4G16256A(2C) | 256Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 96 Ball BGA |
| M15T4G16256A (2P) | 256Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 Ball BGA |
| M15T4G8512A(2S) | 512Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 78 Ball BGA |
| M15T4G8512A(2C) | 512Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 78 Ball BGA |
| 8Gb | |||||
| Numer części | Organizacja | Opis | Odświeżanie | Prędkość (MHz) | Obudowa |
| M15T8G16512A(2S) | 512Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/1.5V | - | 800/933/1066MHz | 96 Ball BGA |
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) to profesjonalna firma zajmująca się projektowaniem układów scalonych, założona w czerwcu 1998 roku w Parku Przemysłowym Hsinchu Science na Tajwanie. Główna działalność firmy obejmuje projektowanie, produkcję, sprzedaż i usługi techniczne produktów IC własnej marki. ESMT z powodzeniem weszła na giełdę na Tajwanie, kod 3006, w marcu 2002 roku.
Produkty ESMT SDRAM dostępne w magazynie:
| DRAM DDR SDRAM | |||||
| 64Mb | |||||
| Numer części | Organizacja | Opis | Odświeżanie | Prędkość (MHz) | Obudowa |
| M13S64164A(2C) | 4Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 4K | 166/200/250MHz | 66 TSOPII |
| M13S64164A-5TG M13S64164A-5T | |||||
| 128Mb | |||||
| Numer części | Organizacja | Opis | Odświeżanie | Prędkość (MHz) | Obudowa |
| M13S128168A (2S) | 8Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 4K | 160/200/250MHz | 66TSOPII/ 60BGA |
| 256Mb | |||||
| Numer części | Organizacja | Opis | Odświeżanie | Prędkość (MHz) | Obudowa |
| M13S2561616A(2T) | 16Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 7.8us | 166/200/250MHz | 66TSOPII/ 60BGA |
| 512Mb | |||||
| Numer części | Organizacja | Opis | Odświeżanie | Prędkość (MHz) | Obudowa |
| M13S5121632A(2T) | 32Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 7.8us | 166/200MHz | 66 pin TSOPII |
| DDR2 SDRAM | |||||
| 128Mb | |||||
| Numer części | Organizacja | Opis | Odświeżanie | Prędkość (MHz) | Obudowa |
| M14D128168A (2Y) | 8Mbx16 | DDRII SDRAM, 1.8V | 4K | 400/533/600/667MHz | 84 Ball FBGA |
PRODUKTY POWIĄZANE
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (mm) 162BGA
F59L1G81LB SLC NAND lub SLC NAND pamięć flash IC F59L1G81LB-25TG2M
F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8 3.3V ECC:1bit/528Byte 25ns 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
EN25QX256A SPI NOR Flash IC EN25QX256A-104HIP2S
256Mb 2.7V - 3.6V 104MHz/133MHz SPI NOR Flash Memory IC
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP
Parallel NOR 32Mb Flash Memory Boot Sector IC EN29LV320CB-70BIP
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4Gb M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2Gb M56Z2G16128A (2R) 4Gb M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8Gb M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)
LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) Układ scalony LPSDR SDRAM
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
4Gb 256Mbx16 1.2V 1333/1600MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
128 MB pamięci DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64MB DRAM DDR SDRAM IC
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T BGA 143 MHz
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) ESMT DRAM DDR SDRAM Pamięć IC
ESMT DRAM DDR SDRAM Memory IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S Układ pamięci ESMT SDRAM 3,3 V
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ:
10pieces