W664GG6RB-06 W664GG6RB06I Układ scalony DRAM 4GB DDR4 Alternatywa K4A4G165WF-BCTD
W664GG6RB IC DRAM 4GB DDR4 1.2V SDRAM X16 1600MH POD12 96VFBGA W664GG6RB-06 W664GG6RB06I
W634GU6NB-11 W631GG6MB-12 W664GG6RB06I W664GG6RB06-TR DDR4 SDRAM 4Gb ((256Mb*16) K4A4G165WF-BCTD
Dla podobnych pamięci DRAM:
MT4A1G16TB-062E:F
MT41K256M16TW-107:P
MT4A512M16TB-062E:R
MT4A4G8NEA-062E:F
MT4A2G8SA-062E:F
MT41K64M16TW-107:J
W9825G6KH-6I
NT1powtarzalność
MT41K128M16JT-125:K
MT4A1G8SA-062E:R
MT4A1G16RC-062E:B
MT5W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3
NT1przewodnictwo
MT4S1S2S2S2S2S2S2S2S2S2
NT2pozycja
MT4A512M16LY-075:E
MT48LC16M16A2P-6A:G
MT4A1G16TD-062E:F
MT4D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3
NT1przewodnictwo
MT4A512M16LY-062E:E
MT41K512M8DA-107:P
MT41K256M16HA-125:E
MTA18ASF2G72PDZ-3G2R1
MT3D512M32D2DS-046IT:D
IS43TR16256BL-125KBLI-TR
MT4A2G16TBB-062E:F
MT5W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3
IS43TR16256BL-125KBLI
MT5W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3
Opis:
| 8 GB + 8 GB | ||||
| Numer części | Organizacja | Opis | Prędkość (mHz) | Pakiet |
| FM73E885CQPB(2R) | 8 GB eMMC + 8 GB LPDDR3 | - | HS400;800/933MHz | 136BGA |
| FM73E885CQP1B (2R) | 8 GB eMMC + 8 GB LPDDR3 | - | HS400;800/933MHz | 136BGA |
| 32 GB + 8 GB | ||||
| Numer części | Organizacja | Opis | Prędkość (mHz) | Pakiet |
| FM73E3285CRTP1B(2R) | 32 GB eMMC + 8 GB LPDDR3 | - | HS400;800/933MHz | 136BGA |
Produkcja samochodowa
Tworzenie sieci
Konsument
Pudełko ustawione
Przemysłowe
Wyświetlacz
IOT
Nadzór nad bezpieczeństwem
Urządzenia noszone
Periferyczne urządzenia do komputerów
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
K4A8G085WG-BCWE K4A8G085WG-BCWE000 K4A4G085WE-BCRC K4A4G085WE-BCPB K4A4G085WE-BCTD K4A4G085WE-BITD K4A4G085WF-BCTD K4A4G085WF-BITD |
K4A8G085WG Samsung Flash Memory ICs K4A8G085WG-BCWE
|