Wyślij wiadomość
Dom > produkty > Układy scalone IC > M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Pamięć Układy scalone IC TSOP48 Części elektroniczne

M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Pamięć Układy scalone IC TSOP48 Części elektroniczne

Kategoria:
Układy scalone IC
Cena £:
Negotiated
Metoda płatności:
T/T, Western Union
Specyfikacje
Kategoria:
Komponenty elektroniczne - układy scalone (IC)
Seria:
FLASH NOR Pamięć Układy scalone IC
Detale:
NOR Pamięć IC 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Równoległy 70 ns 48-TSOP Flash IC
Typ mocowania:
Montaż natynkowy
Opis:
IC FLASH 32MBIT RÓWNOLEGŁY 48TSOP-M29DW323DT70N6E
Pakiet:
TSOP48
Numer części podstawowej:
M29DW
Częstotliwość:
Przełączanie 200kHz ~ 2,2 MHz
Zakres temperatury otoczenia podczas pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
Dodatkowe:
Montaż powierzchniowy Memory IC CHIPS
Rodzaj:
Interfejs pamięci równoległy
Zamienniki:
S29JL032J70TFI010 / S29JL032J70TFI310
Wstęp

M29DW323DT70N6E MikronM29DW323FLASH NOR Pamięć Układy scalone IC TSOP48 Części elektroniczne

-M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4 Mb x8 lub 2 Mb x16, podwójny bank 8:24, blok rozruchowy) Zasilanie 3 V Pamięć flash

 

M29DW323D to 32Mbitowa (4Mb x8 lub 2Mb x16) pamięć nieulotna, którą można czytać, kasować i przeprogramowywać.Operacje te można wykonać przy użyciu pojedynczego źródła niskiego napięcia (2,7 do 3,6 V).Po włączeniu pamięć domyślnie przechodzi w tryb odczytu.Urządzenie charakteryzuje się asymetryczną architekturą blokową.M29DW323D ma tablicę 8 parametrów i 63 bloki główne i jest podzielony na dwa banki, A i B, zapewniając operacje Dual Bank.Podczas programowania lub kasowania w Banku A operacje odczytu są możliwe w Banku B i odwrotnie.Tylko jeden bank na raz może być w trybie programowania lub kasowania.

M29DW323D ma dodatkowy blok 32 KB (tryb x16) lub 64 KB (tryb x8), blok rozszerzony, do którego można uzyskać dostęp za pomocą dedykowanego polecenia.Rozszerzony blok może być chroniony i dlatego jest przydatny do przechowywania informacji o zabezpieczeniach.

Jednak ochrona jest nieodwracalna, raz ochrony nie można cofnąć

.Każdy blok można usunąć niezależnie, dzięki czemu możliwe jest zachowanie prawidłowych danych podczas usuwania starych danych.

Bloki mogą być chronione, aby zapobiec przypadkowej modyfikacji pamięci przez komendy Program lub Erase.

Polecenia programu i kasowania są zapisywane w interfejsie poleceń pamięci.

Wbudowany w chip kontroler programu/kasowania upraszcza proces programowania lub kasowania pamięci, dbając o wszystkie operacje specjalne, które są wymagane do aktualizacji zawartości pamięci.

Można wykryć koniec programu lub operację kasowania i zidentyfikować wszelkie błędy.

Zestaw poleceń wymaganych do sterowania pamięcią jest zgodny ze standardami JEDEC.

Sygnały Chip Enable, Output Enable i Write Enable sterują pracą magistrali pamięci.

Umożliwiają proste podłączenie do większości mikroprocesorów, często bez dodatkowej logiki.

Pamięć oferowana jest w pakietach TSOP48 (12x20mm) oraz TFBGA48 (6x8mm, raster 0,8mm).

 

PODSUMOWANIE FUNKCJI:

NAPIĘCIE ZASILANIA
– VCC = 2,7 V do 3,6 V do programowania, kasowania i odczytu
– VPP =12V dla szybkiego programu (opcjonalnie)


„CZAS DOSTĘPU: 70ns


„CZAS PROGRAMOWANIA”
– 10 µs na bajt/słowo typowo
– Program podwójnego słowa / poczwórnego bajtu


„BLOKI PAMIĘCI”
– Macierz pamięci Dual Bank: 8Mbit+24Mbit
– Bloki parametrów (lokalizacja na górze lub na dole)


„PODWÓJNE OPERACJE”
– Czytaj w jednym banku, podczas programu lub kasuj w innym


„KASOWANIE TRYBÓW ZAWIESZENIA i WZNOWIENIA
– Przeczytaj i zaprogramuj inny blok podczas wymazywania zawieszenia


„POLECENIE ODBLOKOWANIA OBEJŚCIA PROGRAMU”
– Szybsza produkcja/programowanie wsadowe


„PIN VPP/WP dla SZYBKIEGO PROGRAMU i OCHRONY ZAPISU


„TRYB ZABEZPIECZENIA BLOKADY TYMCZASOWEJ”


„WSPÓLNY INTERFEJS FLASH – 64-bitowy kod bezpieczeństwa”


„BLOK PAMIĘCI ROZSZERZONEJ”
– Dodatkowy blok używany jako blokada bezpieczeństwa lub do przechowywania dodatkowych informacji


„NISKIE ZUŻYCIE ENERGII – Czuwanie i Automatyczne Czuwanie”


„100 000 CYKLI PROGRAMU/KASOWANIA na BLOK”


" PODPIS ELEKTRONICZNY
– Kod producenta: 0020h
– Kod urządzenia górnego M29DW323DT: 225Eh
– Kod urządzenia dolnego M29DW323DB:225Fh

 

IC FLASH 32MBIT RÓWNOLEGŁY 48TSOP-M29DW323DT70N6E Specyfikacja:

Kategoria Części elektroniczne
Podkategoria
Układy scalone (IC)
Seria
Pamięć
Prod
Micron Technology Inc.
Pakiet
Taca
Stan części
Przestarzały
Typ pamięci
Nielotny
Format pamięci
LAMPA BŁYSKOWA
Technologia
BŁYSK - NOR
Rozmiar pamięci
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Interfejs pamięci
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona
70ns
Czas dostępu
70 ns
Napięcie zasilające
2,7 V ~ 3,6 V
temperatura robocza
-40°C ~ 85°C (TA)
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Pakiet / Sprawa
48-TFSOP (0,724", 18,40 mm szerokości)
Pakiet urządzeń dostawcy
48-TSOP
Podstawowy numer produktu
M29DW323

 

Powiązane numery produktów:

Prod Część # Technologia Rozmiar pamięci Pakiet urządzenia
M29DW323DB70N6F TR BŁYSK - NOR 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DT70N6F TR BŁYSK - NOR 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB5AN6F TR BŁYSK - NOR 256Mb (16Mx16) 48-TSOP
M29DW323DB70N3E BŁYSK - NOR 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N6E BŁYSK - NOR 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70ZE6E BŁYSK - NOR 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TFBGA (6x8)
M29DW323DB70ZE6F TR BŁYSK - NOR 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TFBGA (6x8)
M29DW323DB7AN6F TR BŁYSK - NOR 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DT70ZE6F TR BŁYSK - NOR 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TFBGA (6x8)
M29DW323DT70ZE6E BŁYSK - NOR 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TFBGA (6x8)
M29DW323DT70N6E BŁYSK - NOR 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N6E BŁYSK - NOR 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N6 BŁYSK - NOR 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP

 

Informacje dotyczące zamawiania:


 M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Pamięć Układy scalone IC TSOP48 Części elektroniczne

O technologii Micron

Micron tworzy innowacyjne rozwiązania w zakresie pamięci i pamięci masowych, które pomagają w realizacji najbardziej znaczących i przełomowych przełomów technologicznych, takich jak sztuczna inteligencja, Internet rzeczy, autonomiczne samochody, spersonalizowana medycyna, a nawet eksploracja kosmosu.Wprowadzając szybsze i wydajniejsze sposoby gromadzenia, przechowywania i zarządzania danymi, pomagają zrewolucjonizować i ulepszyć sposób, w jaki świat się komunikuje, uczy się i rozwija.

 

Technologia Micron Kategorie produktów:

 

Układy scalone (IC)

Karty pamięci, moduły

Optoelektronika

 

Obraz w celach informacyjnych:

M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Pamięć Układy scalone IC TSOP48 Części elektroniczneM29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Pamięć Układy scalone IC TSOP48 Części elektroniczneM29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Pamięć Układy scalone IC TSOP48 Części elektroniczne

 


Klasyfikacje środowiskowe i eksportowe

ATRYBUT OPIS
Stan RoHS Zgodny z ROHS3
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) 3 (168 godzin)
Status REACH REACH bez zmian
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071

 


Zastępuje układy scalone numer części IC:
S29JL032J70TFI010 / S29JL032J70TFI310
Sprzedajemy najszersze w branży portfolio technologii pamięci i pamięci masowych: pamięci DRAM, NAND i NOR ic.Dzięki bliskim partnerstwom branżowym i doświadczeniu w zakresie rozwiązań pamięciowych, nasz wyjątkowy wgląd daje nam możliwość zaspokojenia Twoich najtrudniejszych potrzeb.
 
Powiązany równoległy układ scalony NOR Flash Katalog części:

MT28EW128ABA1HJS-0SIT
MT28EW128ABA1HPC-0SIT
MT28EW128ABA1HPN-0SIT
MT28EW128ABA1LJS-0SIT
MT28EW128ABA1LPC-0SIT
MT28EW128ABA1LPN-0SIT

 
M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR Pamięć Układy scalone IC TSOP48 Części elektroniczne
 

 

Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
1pieces