ATSAMD51G18A-MU Microchip IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48VQFN Układy scalone
Mikrochip IC ATSAMD51G18A-MU
,48VQFN Układy scalone
,MCU IC 32BIT 256KB FLASH
ATSAMD51G18A-MU Microchip IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48VQFN Układy scalone
Mikrokontrolery ARM - MCU 120MHZ 256KB FLASH 4 8 QFN
IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48QFN
Mikrokontroler z serii ARM® Cortex®-M4F, 32-bitowy, jednordzeniowy 120MHz 256KB (256K x 8) FLASH 48-QFN (7x7)
ATSAMD51G18A-MUSpecyfikacja:
|
Kategoria
|
Układy scalone (IC)
|
|
Wbudowane - Mikrokontrolery
|
|
|
Prod
|
Technologia mikroprocesorowa
|
|
Seria
|
SAM D51
|
|
Pakiet
|
Taca
|
|
Stan produktu
|
Aktywny
|
|
Procesor rdzeniowy
|
ARM® Cortex®-M4F
|
|
Rozmiar rdzenia
|
32-bitowy jednordzeniowy
|
|
Prędkość
|
120 MHz
|
|
Łączność
|
EBI/EMI, I²C, IrDA, LINbus, MMC/SD, QSPI, SPI, UART/USART, USB
|
|
Urządzenia peryferyjne
|
Wykrywanie/resetowanie Brown-out, DMA, I²S, POR, PWM
|
|
Liczba wejść/wyjść
|
37
|
|
Rozmiar pamięci programu
|
256 KB (256 KB x 8)
|
|
Typ pamięci programu
|
LAMPA BŁYSKOWA
|
|
Rozmiar EEPROM
|
-
|
|
Rozmiar pamięci RAM
|
128K x 8
|
|
Napięcie — zasilanie (Vcc/Vdd)
|
1,71 V ~ 3,63 V
|
|
Konwertery danych
|
A/D 20x12b;D/A 2x12b
|
|
Typ oscylatora
|
Wewnętrzny
|
|
temperatura robocza
|
-40°C ~ 85°C (TA)
|
|
Typ mocowania
|
Montaż powierzchniowy
|
|
Pakiet / Sprawa
|
48-VFQFN Odsłonięta podkładka
|
|
Pakiet urządzeń dostawcy
|
48-QFN (7x7)
|
|
Podstawowy numer produktu
|
ATSAMD51
|
Cechy:
Warunki pracy:
• 1,71 V do 3,63 V, -40°C do +125°C, DC do 100 MHz
• 1,71 V do 3,63 V, -40°C do +105°C, DC do 120 MHz
• 1,71 V do 3,63 V, -40°C do +85°C, prąd stały do 120 MHz
Rdzeń: 120 MHz Arm Cortex-M4
• 403 CoreMark® przy 120 MHz
• Połączona pamięć podręczna instrukcji i pamięć podręczna danych o wielkości 4 KB
• 8-strefowa jednostka ochrony pamięci (MPU)
• Zestaw instrukcji Thumb®-2
• Wbudowany moduł śledzenia (ETM) ze strumieniem śledzenia instrukcji
• Wbudowany bufor śledzenia Core Sight (ETB)
• Moduł interfejsu Trace Port (TPIU)
• Jednostka zmiennoprzecinkowa (FPU)
Wspomnienia
• 1 MB/512 KB/256 KB programowalna w systemie pamięć flash z:
– Kod korekcji błędów (ECC)
– Podwójny bank z obsługą odczytu i zapisu (RWW)
– Emulacja sprzętowa EEPROM (SmartEEPROM)
• 128 kB, 192 kB, 256 kB pamięci głównej SRAM
– 64 KB, 96 KB, 128 KB opcji pamięci RAM z kodem korekcji błędów (ECC)
• Do 4 KB pamięci ściśle sprzężonej (TCM)
• Do 8 KB dodatkowej pamięci SRAM
– Można zachować w trybie kopii zapasowej
• Osiem 32-bitowych rejestrów zapasowych
System
• Power-on Reset (POR) i wykrywanie Brown-out (BOD)
• Opcje zegara wewnętrznego i zewnętrznego
• Zewnętrzny kontroler przerwań (EIC)
• 16 przerwań zewnętrznych
• Jedno przerwanie niemaskowalne
• Dwustykowy interfejs programowania, testowania i debugowania dwupinowego kabla szeregowego (SWD)
Zasilacz
• Tryby bezczynności, czuwania, hibernacji, kopii zapasowej i uśpienia wyłączone
• Urządzenia peryferyjne SleepWalking
• Wsparcie dla podtrzymania bateryjnego
• Wbudowany regulator Buck/LDO obsługujący wybór w locie
Klasyfikacje środowiskowe i eksportowe
| ATRYBUT | OPIS |
|---|---|
| Stan RoHS | Zgodny z ROHS3 |
| Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) | 3 (168 godzin) |
| Status REACH | REACH bez zmian |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |