Tranzystor kanałowy IRF1404ZPBF N 180A 200W HEXFET FET MOSFET
Tranzystor kanałowy IRF1404ZPBF
,180A 200W HEXFET FET MOSFET
,Tranzystor kanałowy N 180A 200W
Tranzystory IRF1404ZPBF Kanał N 180A 200W przewlekany TO-220AB HEXFET FETy MOSFET
Kanał N 180A (Tc) 200W (Tc) otwór przelotowy TO-220AB Specyfikacja:
Kategoria
|
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
|
Tranzystory — FET, MOSFET — pojedyncze
|
|
Prod
|
Technologie Infineon
|
Seria
|
HEXFET®
|
Pakiet
|
Rura
|
Typ FET
|
Kanał N
|
Technologia
|
MOSFET (tlenek metalu)
|
Napięcie dren-źródło (Vdss)
|
40 V
|
Prąd — Ciągły drenaż (Id) przy 25°C
|
180A (Tc)
|
Napięcie przemiennika (maks. Rds wł., min Rds wł.)
|
10V
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
3,7mOhm @ 75A, 10V
|
Vgs(th) (Max) @ Id
|
4V @ 250µA
|
Ładowanie bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
|
150 nC przy 10 V
|
Vgs (maks.)
|
±20V
|
Pojemność wejściowa (Ciss) (Max) @ Vds
|
4340 pF przy 25 V
|
Funkcja FET
|
-
|
Rozpraszanie mocy (maks.)
|
200W (Tc)
|
temperatura robocza
|
-55°C ~ 175°C (TJ)
|
Typ mocowania
|
Przez otwór
|
Pakiet urządzeń dostawcy
|
TO-220AB
|
Pakiet / Sprawa
|
TO-220-3
|
Podstawowy numer produktu
|
IRF1404
|
Opis
Ten HEXFET® Power MOSFET wykorzystuje najnowsze techniki przetwarzania, aby osiągnąć wyjątkowo niski opór na obszar krzemu.
Dodatkowe cechy tego produktu to temperatura robocza złącza 175°C, duża szybkość przełączania i ulepszona powtarzalna odporność na lawinę.Połączenie tych cech sprawia, że konstrukcja ta jest niezwykle wydajnym i niezawodnym urządzeniem do stosowania w szerokiej gamie zastosowań.
ATRYBUT | OPIS |
---|---|
Stan RoHS | Zgodny z ROHS3 |
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) | 1 (nieograniczony) |
Status REACH | REACH bez zmian |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
8541.29.0095 |
Numer części | IRF1404ZPBF |
Numer części podstawowej | IRF1404 |
UE RoHS | Zgodny z zwolnieniem |
ECCN (USA) | EAR99 |
Stan części | Aktywny |
HTS | 8541.29.00.95 |