MLX90316 Układ scalony czujnika położenia obrotowego Melexis MLX90316KDC-BCG-000
Układ scalony czujnika położenia obrotowego Melexis
,Układ scalony czujnika położenia obrotowego MLX90316
,MLX90316KDC-BCG-000
MLX90316 czujnik położenia obrotowego melexis IC MLX90316KDC-BCG-000 MLX90316KDC-BDG-100-RE z WYJŚCIEM SPI
MLX90316 melexis Czujnik położenia obrotowego IC MLX90316KDC-BCG-000 lub MLX90316KDC-BDG-100-RE z WYJŚCIEM SPI
Cechy i zalety:
IC czujnika bezwzględnej pozycji obrotowej
Prosta i solidna konstrukcja magnetyczna
Technologia hali Tria⊗is®
Programowalny zakres kątowy do 360 stopni
Programowalna charakterystyka transferu liniowego
Wybierany analogowy (ratiometryczny), PWM, protokół szeregowy
12-bitowa rozdzielczość kątowa — 10-bitowa dokładność termiczna kąta
40-bitowy numer identyfikacyjny
Pojedyncza matryca – Pakiet SOIC-8 Zgodny z RoHS
Podwójna matryca (pełna nadmiarowość) — pakiet TSSOP-16 zgodny z dyrektywą RoHS
Aplikacje:
Czujnik bezwzględnej pozycji obrotowej
Czujnik pozycji kierownicy
Czujnik położenia pedału
Czujnik położenia wału silnika
Czujnik położenia przepustnicy
Czujnik poziomu pływaka
Czujnik pozycji wysokości jazdy
Potencjometr bezkontaktowy
Opis:
MLX90316 to obrotowy czujnik położenia Tria⊗is® zapewniający bezwzględną pozycję kątową małego magnesu dipolowego obracającego się nad powierzchnią urządzenia (magnes końca wału).Dzięki zintegrowanemu magneto-koncentratorowi (IMC) na swojej powierzchni, monolityczne urządzenie bezkontaktowo wykrywa składową poziomą przyłożonej gęstości strumienia magnetycznego.Ta unikalna zasada wykrywania zastosowana w obrotowym czujniku położenia skutkuje imponującą odpornością położenia kątowego w stosunku do tolerancji mechanicznych (szczelina powietrzna, poza osią).Obrót tego komponentu poziomego jest wykrywany w szerokim zakresie (do 360 stopni - pełny obrót) i przetwarzany przez onchip DSP (cyfrowe przetwarzanie sygnału), aby ostatecznie zgłosić bezwzględną pozycję kątową magnesu jako proporcjonalne wyjście analogowe lub jako sygnał PWM (Pulse-Width Modulation) lub jako dane 14-bitowe dostępne przez 3-pinowy kanał SPI (interfejs szeregowy).Wyjściowa charakterystyka przenoszenia jest w pełni programowalna (np. przesunięcie, wzmocnienie, poziomy tłumienia, liniowość, dryft termiczny, filtrowanie, zakres...) w celu dopasowania do dowolnych wymagań poprzez kalibrację końca linii.Moduł programowania Melexis PTC-04 komunikuje się i kalibruje urządzenie wyłącznie za pośrednictwem zacisków złącza (VDDVSS-OUT).
1. Informacje o zamawianiu
| Kod produktu | Kod temperatury | Kod pakietu | Kod opcji | Kod formularza pakowania |
| MLX90316 | S | DC | BCG-000 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | mi | DC | BCG-000 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | K | DC | BCG-000 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | L | DC | BCG-000 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | mi | IŚĆ | BCG-000 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | K | IŚĆ | BCG-000 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | L | IŚĆ | BCG-000 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | K | DC | BCG-200 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | K | IŚĆ | BCG-200 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | K | DC | BCG-300 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | K | IŚĆ | BCG-300 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | mi | DC | BDG-100 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | K | DC | BDG-100 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | L | DC | BDG-100 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | mi | IŚĆ | BDG-100 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | K | IŚĆ | BDG-100 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | L | IŚĆ | BDG-100 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | L | IŚĆ | BDG-102 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | L | DC | BDG-102 | ODNOŚNIE |
| MLX90316 | L | DC | BCS-000 | ODNOŚNIE |
Legenda:
Kod temperatury: S: od -20 st. C do 85 st. C
E: od -40 stopni C do 85 stopni C
K: od -40 stopni C do 125 stopni C
L: od -40 stopni C do 150 stopni C
Kod pakietu: „DC” dla pakietu SOIC-8
„GO” dla pakietu TSSOP-16 (podwójna matryca)
Kod opcji: AAA-xxx: wersja matrycy
xxx-000: standardowe
xxx-100: SPI
xxx-102: SPI75AGC, patrz rozdział 13.4.2
xxx-200: PPA (wstępnie zaprogramowany analogowy)
xxx-300: PPD (wstępnie zaprogramowany cyfrowy)
Forma pakowania: „RE” dla Reel
„TU” dla rurki
Przykład zamówienia: MLX90316KDC-BCG-000-TU
Słownik terminów
Gauss (G), Tesla (T) Jednostki indukcji magnetycznej - 1 mT = 10 G
TC Ttemperatura Cwydajność (w ppm/Deg.C.)
NC not Cpołączony
PWM Pulse Widentyfikacja modulacja
%DC Duty Ccykl sygnału wyjściowego tj. TNA /(TNA + TWYŁĄCZONY)
ADC Analog-do-Dcyfra Ckonwerter DAC Dcyfra-do-Analog Cfalownik
LSB Lwschód Sznaczący bto MSB most Sznaczącybto
DNLDróżniczkowynna-Lbezwładność INLiintegralnynna-Lbezwładność
RYZYKOrwykształconyiinstrukcjaSetiCkomputer
ŻMIJAAnalogSsygnałPprzetwarzanie DSPDcyfraSsygnałPprzerabiać
ATAN Funkcja trygonometryczna: arcus tangens (lub odwrotny tangens) IMCizintegrowanemaneto-Ckoncentrator (IMC®)
KorDiCWspółrzędnarotacjaDigitalCkomputer (tj. iteracyjna transformacja prostokątna do biegunowej)
EMCmielektro-magnetycznyCkompatybilność
4. Pinout
| SZPILKA |
SOIC-8 TSSOP-16 Protokół szeregowy analogowy/PWM Protokół szeregowy analogowy/PWM |
1 VDD VDD VDIG1VDIG1
2 Test 0 Test 0 VSS1(Grunt1) VSS1(Grunt1)
3 Przełącznik WYJ./SS VDD1VDD1
4 Nieużywane / WYJŚCIE 2(2)Test SCLK 01Test 01
5 OUT Przełącznik MOSI / MISO OUT2/SS2
6 Test 1 Test 1 Nie używany2SCLK2
7 VDIG VDIG OUT2 MOSI2/ MISO2
8 VSS (naziemny) VSS (naziemny) Test 12 Test 12
9 VDIG2 VDIG2
10 VSS2 (Grunt2) VSS2 (Grunt2)
11 VDD2 VDD2
12 Test 02 Test 02
13 Przełącz OUT1 /SS1
14 Nie używany1 SCLK1
15 OUT1 MOSI1 / MISO1
16 Test 11 Test 11
Aby uzyskać optymalne zachowanie EMC, zaleca się podłączenie nieużywanych styków (nieużywane i testowe) do uziemienia.
5. Absolutne maksymalne oceny
Wartość parametru
Napięcie zasilania, VDD (przepięcie) + 20 V
Zabezpieczenie przed odwrotnym napięciem - 10 V
Dodatnie napięcie wyjściowe – wersja standardowa + 10 V
(analogowy lub PWM) + 14 V (maks. 200 s – TA = + 25 st. C)
Dodatnie napięcie wyjściowe — wersja SPI VDD + 0,3 V
| Dodatnie napięcie wyjściowe (przełączanie) |
+ 10 V + 14 V (maks. 200 s – TA = + 25 st. C) |
Prąd wyjściowy (IOUT) ± 30 mA
Odwrotne napięcie wyjściowe - 0,3 V
Odwrotny prąd wyjściowy - 50 mA
Zakres temperatur otoczenia podczas pracy, TA - 40 stopni C … + 150 stopni C
Zakres temperatur przechowywania, TS - 40 stopni C … + 150 stopni C
Gęstość strumienia magnetycznego ± 700 mT
Przekroczenie bezwzględnych maksymalnych wartości może spowodować trwałe uszkodzenie.Ekspozycja na bezwzględne maksimum-
warunki znamionowe przez dłuższy czas mogą wpływać na niezawodność urządzenia.
| (Diagnostyka uszkodzonego toru) (7) | BVSSPU |
Uszkodzony VSS (8) & Obciążenie do podciągania RL ≥ 1 kΩ |
99 100% VDD | |||||||||||||
| BVDDPD |
Zepsuty VDD (8) & Obciążenie ściągające RL ≥ 1 kΩ |
0 1 %VDD | ||||||||||||||
| BVDDPU |
Zepsuty VDD i Obciążenie podciągania do 5 V |
Brak zerwanej ścieżki diagnostyczne %VDD |
||||||||||||||
| Zablokowany poziom wyjściowy (9) |
Clamp_lo Programowalny 0 100% VDD Clamp_hi Programowalny 0 100 %VDD |
|||||||||||||||
| Przełącz się (10) |
Sw_lo Obciążenie podciągające 1,5 kΩ do 5 V 0,55 1,1 V Sw_hi Obciążenie podciągające 1,5 kΩ do 5 V 3,65 4,35 V |
|||||||||||||||
7. Specyfikacja izolacji
Parametry pracy DC przy VDD = 5 V (o ile nie określono inaczej) i dla TA jak określono przez
Sufiks temperatury (S, E, K lub L).Dotyczy tylko kodu pakietu GO, tj. wersji z dwoma matrycami.
Parametr Symbol Warunki testowe Min Typ Maks Jednostki
Rezystancja izolacji między kostkami 4 MΩ
8. Specyfikacja rozrządu
Parametry pracy DC przy VDD = 5 V (o ile nie określono inaczej) i dla TA jak określono przez
Sufiks temperatury (S, E, K lub L).
Parametr Symbol Warunki testowe Min Typ Maks Jednostki
| Częstotliwość zegara głównego Ck |
Wolny tryb (11) Szybki tryb (11) |
7 20 |
MHz MHz |
|||||||||||||
| Częstotliwość próbkowania |
Wolny tryb (11) Szybki tryb (11) |
600 200 |
μs μs |
|||||||||||||
| Czas reakcji krokowej Ts |
4 600 |
SM μs |
||||||||||||||
Watchdog Wd Patrz rozdział 14 5 ms
Cykl rozruchowy Tsu w trybie powolnym i szybkim (11) 15 ms
| Szybkość narastania wyjścia analogowego |
CNA ZEWNĄTRZ = 42 nF CNA ZEWNĄTRZ = 100 nF |
200 100 |
V/ms V/ms |
Częstotliwość PWM FPWM Wyjście PWM włączone 100 1000 Hz
| Czas narastania wyjścia cyfrowego |
Tryb 5 – 10 nF, RL = 10 kΩ Tryb 7 – 10 nF, RL = 10 kΩ |
120 2,2 |
μs μs |
|||||
| Czas opadania wyjścia cyfrowego |
Tryb 5 – 10 nF, RL = 10 kΩ Tryb 7 – 10 nF, RL = 10 kΩ |
1,8 1,9 |
μs μs |
|||||
Informacje o paczce: